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    場效應管KHB4D5N60F

    場效應管KHB4D5N60F

     詳情說明

    場效應管的基本特點:
          場效應管屬于電壓控制元件,這一點類似于電子管的三極管,但它的構造與工作原理和電子管是截然不同的,與雙極型晶體管相比,場效應晶體管具有如下特點:
      ?。?)場效應管是電壓控制器件,它通過VGS來控制ID;
      ?。?)場效應管的輸入端電流極小,因此它的輸入電阻很大;
      ?。?)它是利用多數載流子導電,因此它的溫度穩定性較好;
      ?。?)它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數;
      ?。?)場效應管的抗輻射能力強;
      ?。?)由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。

     

    場效應管的工作原理:
      場效應管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經溝道的ID,用以門極與溝道間的pn結形成的反偏的門極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結反偏的變化,產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域,表示的過渡層的擴展因為不很大,根據漏極-源極間所加VDS的電場,源極區域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型,ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次,VGS向負的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場,只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。

     

    場效應管的主要作用:
      1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
       2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
       3.場效應管可以用作可變電阻。
       4.場效應管可以方便地用作恒流源。
       5.場效應管可以用作電子開關。

     

    場效應管的分類:
      場效應管分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS管)兩大類。
      按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。
       場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。

     

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